你可以把主板电池抠下来5分钟，或者是在进入BIOS中有一个LOADOPRIMUMDEFAUL（即载入主板BIOS出厂设置）的选项，选择它，再按F10保存退出。就恢复原来的设置了。
怎么设置从光盘启动？光盘启动怎么弄？我们开机在黑屏刚开始启动的时候，一般电脑会提示你按DEL或F1F11F5启动，不同的机型不太一样。我们进去后，看到BIOS设置界面，如图如何设置光驱启动然后我们移动键盘上的光标键，找到“AdvancedBIOSFeatures”，回车进去。如何设置光驱启动我们找到FirstBootDevice,按回车或移动上下光标键将其选为。
装修怎么设置从光盘启动？光盘启动怎么弄？谁比较清楚？
进入BIOS设置成光盘启动，老一点的主板和现在的主板BIOS界面是不一样的，在这里很难跟你说清楚。这里介绍的是新一点主板。1.刚刚开电脑按“Delete”进了BIOS设置；（蓝底白字）2.在里面找到“AdvancedBIOSFeatures”这个菜单，回车；3.找到“FirstBootDevice”，回车4.使用方向键选择“CD-ROM”回车5.按F10（F10就是保存键）
移光标至Boot Option #1按车Enter选择光驱（DVD）
nvidia nforce 430光盘启动怎么设置
启动时按F12或F9看一下，试试是哪个。
通常都是按DEL进入BIOS，然后在安全的选项卡里面，选取设置密码！
BIOS中设置密码的方法(不同机器有所不同)：1、开机按Del键进入CMOS设置，将光标移到“AdvancedBIOSFeatures(高级BIOS功能设置)”回车，打开“AdvancedBIOSFeatures”页面，找到“SecurityOption(检查密码方式)”或“PasswordCheck(检查密码方式)”，将其设置为“System(系统)”（注：该项有两个设定值System和Setup，设置为System时开机进入CMOS设置和进入操作系统均要输入密码；设置为Setup时仅开机进入CMOS设置要输入密码），按Esc键回到主页面；2、在主页面将光标移到“SetSupervisorPassword(超级管理员密码)”回车，在出现的窗口中输入密码并回车，在出现的窗口中再次输入同一密码并回车，CMOS便回将密码记录下来并返回主页面。3、在主页面将光标移到“Save&Exit(存储退出)”回车，按Y键，再回车即可。在第2步选择“SetUserPassword（设置用户密码）”可以设置用户密码，用户密码与超级管理员密码的区别是：用用户密码进入CMOS设置只能查看不能修改。这三个步骤你都记住了吗？如果还是不懂的话可以问一下旁边要好的同事，他们应该都有设置开机密码的吧！
i815-ITE8702主板CMOS怎么设置从光盘进入
这个真不好说会弄BIOS的人估计没几个人是认识那些英文的.....最简单的方法下个GHOST从硬盘里装...如果你家主板说明书还在说明书里有教你怎么设置BIOS可以用PE...把系统盘放进去去网上下个老毛桃PE装到硬盘重起机器选择从PE进然后手动找到GHOST就可以拉但是貌似我记得.....系统盘放进去你可以直接从
什么是cmos技术以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。简称MOSIC。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。MOS具有以下优点&8226;与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①*结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。CMOS的发展与分类&8226;按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结*一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSICP阱CMOS工艺P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底，在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内，PMOS管做在N型衬底上。P阱工艺包括用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证P沟道器件的正常特性。P阱CMOS工艺P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了背栅偏置的灵敏度，增加了源极和漏极对P阱的电容等。标准P阱CMOS工艺结构特点&8226;这种结构的缺点是：（1）由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小；（2）集电极的串联电阻很大，影响器件性能；（3）NPN管和PMOS管共衬底，使得NPN管只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用。
清华同方(超扬V150)怎么设置光盘启动/？有没有人了解？
清华同方精锐X50A-A012联想C560（G3250T/4GB/500GB/白色）3联想C470（i3-4010U/4G50GVW/黑）4惠普Pavilion23-g051cnAiO（E9U19AA）5海尔乐趣Q51-C3126联想扬天S710-107联想ThinkCentreE93z（10BX002ECV）8联想C460（G3240T/4G1TGVW/黑）9惠普ProOne400G1AiO（G8Q77PA）10
